Page 62 - st-enerjisini-ureten-fabrikalar-2023-temmuz

TEST VE ÖLÇME I TEKNİK MAKALE

Enerji kaybını belirlemek için çift darbe testi

Geniş Bant Aralıklı MOSFET’lerde enerji kaybını belirlemek amacıyla çift darbe testi
yapılıyor. Test, cihazı açma ve kapatma sırasındaki enerji kaybını ve geri kazanım
parametrelerini ölçmek için kullanılabiliyor. Netes Mühendislik tarafından temsil
edilen Tektronix uzmanları paylaştı.

aha küçük ve daha hafif ta- Bu geniş bant aralıklı MOSFET’lerin hızlı relerini ölçmek ve güç yarı iletken cihaz-
sarımların güç yoğunluğu anahtarlama kapasitesinden tam olarak larının dinamik davranışlarını değerlen-
avantajları, özellikle elekt- yararlanmak için, tasarımcılar anahtarla- dirmek için tercih edilen test yöntemidir.
rikli araçlar gibi alanı kısıtlı ma kayıpları ile EMI arasında bir denge- Test, cihazı açma ve kapatma sırasında-
D olan veya mobil kullanım- leme eylemi gerçekleştirerek devre per- ki enerji kaybını ve geri kazanım para-
larda belirgindir ama kompakt güç elekt- formansını değerlendirmelidir. metrelerini ölçmek için kullanılabilir.
roniği de daha fazla tercih edilmektedir. Tektronix MSO4 Serisi, MSO5B Seri-
Aynı zamanda, hükümetler finansal teş- ÇİFT DARBE TESTİ NE AMAÇLA si ve MSO6B Serisi’nin tümü otoma-
vikleri ve daha katı enerji verimliliği dü- TERCİH EDİLİYOR? tik çift darbeli test ölçümleri sunar ve
zenlemelerini getirdikçe verimliliğin öne- Çift Darbe Testi, anahtarlama paramet- AFG31000 keyfi fonksiyon üreteci, kolay
mi artıyor. Avrupa Birliği’nin Eko-tasarım
yönergesi, Amerika Birleşik Devletleri
Enerji Bakanlığı 2016 Verimlilik Stan- AFG31000 ve MSO 4/5/6 Serisindeki otomatik
dartları ve Çin’in Kalite Sertifika Merkezi
(CQC) İşareti gibi küresel kuruluşlar ta- çift darbe test kurulumu ve analizi, test sürelerini
rafından yayınlanan yönergeler, elektrikli büyük ölçüde azaltmak ve yeni nesil güç
ürünler ve ekipmanlar için enerji verim-
liliği gereksinimlerini yönetir. Verimlilik dönüştürücüler için pazara daha hızlı sürüm
ve güç yoğunluğundaki son gelişmeler, süresi elde etmek için bir araya geliyor.
SiC ve GaN kullanılan geniş bant aralıklı
MOSFET’ler tarafından sağlanmaktadır.

60 ST ENERJİSİNİ ÜRETEN FABRİKALAR I Temmuz 2023