Page 62 - st-enerjisini-ureten-fabrikalar-2023-eylul

TEST VE ÖLÇME I TEKNİK MAKALE

Geniş bant aralığı test gereksinimlerine

ayak uyduruyor musunuz?

Anahtar kayıplarını en aza indirmek, güç cihazı mühendisleri için büyük bir zorluk
olmaya devam ediyor. Bu tasarımların, uygunluğu sağlaması için titizlikle ölçülmesi
gerekiyor. Netes Mühendislik tarafından ülkemizde temsil edilen Tektronix
uzmanları paylaştı.

ilisyum karbür (SiC) ve gal-
yum nitrür (GaN) gibi yeni
nesil geniş bant aralıklı
(WBG) malzemeler gittikçe
S daha yaygın hale geliyor.
Elektriksel olarak, bu maddeler yalıt-
kanlara silikon ve diğer tipik yarı iletken
malzemelerden daha yakındır. Bu yarı
iletken malzemelerin benimsenmesi,
silikonun dar bir bant aralığına sahip
bir malzeme olmasından kaynaklanan
sınırlamaların üstesinden gelmek için-
dir ve sıcaklık, gerilim veya frekanstaki
artışlarla daha belirgin hale gelen isten-
meyen iletken sızıntılara yol açar. Bu tür
bir sızıntının mantıksal uç noktası, yarı
iletken olarak başarısız çalışmaya eşit
olan kontrolsüz iletkenliktir.
Bu iki geniş bant aralıklı malzemeden
GaN, yaklaşık bir kilovolt ve 100 amperin
altındaki düşük ve orta menzilli güç uygu- onları özellikle havacılık, askeri ve elekt- nilirliği optimize etmek için anahtarla-
lamaları için uygundur. GaN için dikkate rikli araçlar gibi kazançlı pazar segment- ma işlemleri sırasında doğru ölçümlere
değer bir gelişim alanı, LED aydınlatma- lerinde daha rekabetçi hale getiriyor. ihtiyaç vardır. SiC ve GaN yarı iletken
da kullanımıdır ve ek olarak Otomotiv ve SiC MOSFET’ler, daha küçük bileşenlere cihazları için test prosedürleri, bu cihaz-
RF iletişimi gibi düşük güç ile çalışılan dayalı tasarımlardan daha yüksek enerji ların daha yüksek çalışma frekanslarını
alanlarda da kullanılmaktadır. Buna kar- verimliliği sağladığından, yeni nesil güç ve voltaj seviyelerini hesaba katmalıdır.
şılık, SiC’yi çevreleyen teknolojiler hem dönüştürme ekipmanlarının geliştirilme- Tektronix/Keithley’in Güç Piyasası Seg-
GaN’den daha iyi geliştirilmiştir hem de sinde etkilidir. Aynı zamanda, bu geçiş, menti Lideri Jonathan Tucker, kısa süre
elektrikli araç çekiş invertörleri, güç akta- mühendislerin güç elektroniği oluşturur- önce Elektronik Tasarım - Enerji Verimli
rımı, büyük ölçekli HVAC ekipmanı ve en- ken geleneksel olarak kullandıkları bazı Güç Elektroniği için Test Gereksinimleri
düstriyel sistemler gibi daha yüksek güç tasarım ve test tekniklerini yeniden göz- Gelişiyor başlıklı bir makale yazdı. Ay-
uygulamalarına daha uygundur. den geçirmelerini de gerektiriyor. 5 Seri- rıca bu yeni test gereksinimi hakkında
Si MOSFET’lerle karşılaştırıldığında, SiC si MSO osiloskop üzerindeki çift darbe bazı düşüncelerini paylaştı:
cihazları daha yüksek gerilimlerde, daha test yazılımı, açma (Eon) sırasındaki “Rastgele fonksiyon üreteçleri (AFG’ler),
yüksek anahtarlama frekanslarında ve enerji kaybını ve anahtar zamanlama osiloskoplar, kaynak - ölçüm - birimi
daha yüksek sıcaklıklarda çalışabilir. parametrelerini otomatik olarak ölçer. (SMU) aletleri ve parametrik analizörler
Bu koşullar altında SiC, daha yüksek gibi test ve ölçüm araçlarındaki gelişme-
performans, verimlilik, güç yoğunlu- MEYDAN OKUMA…DİKKATLİ ler, güç tasarımı mühendislerinin daha
ğu ve güvenilirlik sağlar. Bu avantajlar TESTLER İÇİN ARTAN BİR sağlam sonuçları daha hızlı elde etme-
kombinasyonu, tasarımcıların güç dö- GEREKSİNİM sine yardımcı oluyor. Bu güncellenmiş
nüştürücülerinin boyutunu, ağırlığını ve SiC ve GaN cihazlarının tam potansiye- ekipman, günlük zorluklarla başa çık-
maliyetini azaltmalarına yardımcı olarak lini gerçekleştirmek, verimliliği ve güve- malarına yardımcı olur.”

60 ST ENERJİSİNİ ÜRETEN FABRİKALAR I Eylül 2023